在集成電(diàn)路芯片制造技术中，最為(wèi)关键技术的是用(yòng)于電(diàn)路图形生产和复制的光刻技术，光刻技术的研究与开发，在每一代集成電(diàn)路技术的更新(xīn)中都扮演着技术先导的角色。光刻技术的进步也是推动摩尔定律不断向前发展的源动力。

光刻技术的基本原理(lǐ)是，利用(yòng)光刻机和涂胶显影机设备，将光刻版上的图形重复多(duō)次投影到硅片上，涂在硅片上的光刻胶有(yǒu)感光性和抗蚀性；光刻胶也有(yǒu)分(fēn)為(wèi)正胶和负胶，正胶曝光部分(fēn)在显影液中被溶解，没有(yǒu)曝光的胶层留下；负胶的曝光部分(fēn)在显影液中不溶解，而没有(yǒu)曝光的胶层却被溶解掉。经过显影后，则显出光刻图形。

目前主流的光刻技术是光學(xué)光刻技术，光學(xué)光刻是由投影光學(xué)系统和掩模版相结合来产生光刻图形的。曝光方式普遍采用(yòng)步进扫描投影式曝光。

光學(xué)临近修正（Optical Proximity Correction）技术，简称OPC技术。在光刻过程中，由于光的衍射和干涉现象以及光刻胶的效应等，实际硅片上得到的光刻图形与光刻版图形之间存在一定的变形和偏差，光刻中这种偏差直接影响電(diàn)路性能(néng)和产品量率。為(wèi)了消除这种误差，光學(xué)临近修正（OPC）技术应用(yòng)而生 。

光學(xué)临近修正技术的基本原理(lǐ)是在光刻工艺基本确定的前提下，设计不同尺寸的掩模图形，利用(yòng)掩模图形尺寸与光刻工艺后硅片图形尺寸的对应关系，建立光學(xué)临近效应的模型（OPC model），基于建立好的光學(xué)临近效应的模型，预测实际设计的電(diàn)路图形在硅片上光刻图形的尺寸，从而对電(diàn)路图形做出修正以补偿这种效应，最终在硅片上得到和電(diàn)路设计相同或最相近的图形。

  研发中心光刻和OPC共性工艺包括：

  1．光刻设备评估、测试和验证；

  2．光刻材料评估、测试和验证；

  3．光刻工艺技术开发；

  4．OPC技术开发。

针对OPC技术开发，ICRD已经与國(guó)际主流的供应商(shāng)新(xīn)思科(kē)技（Synopsys）和ASML-Brion分(fēn)别建立了工艺技术联合实验室,共同為(wèi)客户提供OPC技术开发、培训等服務(wù)。